典型文献
极低温下Nb3Sn超导体单晶裂纹动态扩展模拟
文献摘要：
研究Nb3Sn超导体的损伤断裂行为对于揭示超导临界性能弱化背后的力学机制具有重要的意义.采用分子动力学模拟方法,研究了极低温下不含裂纹和含中心裂纹的Nb3Sn单晶在力学拉伸变形作用下的断裂机制和裂纹扩展行为,同时分析了应变率效应对Nb3Sn单晶断裂机制与裂纹扩展行为的影响.结果表明:不含裂纹的Nb3Sn单晶在结构受力后出现滑移,滑移带上位错塞积导致应力集中,应力集中使原子键断裂从而萌生裂纹致使Nb3Sn单晶断裂;而含中心裂纹的Nb3Sn单晶则由于裂纹尖端应力集中使得原子键断裂形成微裂纹,裂纹扩展致使Nb3Sn单晶断裂.Nb3Sn单晶在不同的应变率下表现出不同的断裂机制,在低应变率下表现为脆性断裂,而在高应变率下表现为韧性断裂.
文献关键词：
Nb3Sn单晶;分子动力学模拟;裂纹扩展;断裂
中图分类号：
作者姓名：
王豪阳;卫颖;乔力
作者机构：
太原理工大学机械与运载工程学院应用力学研究所, 山西 太原 030024
文献出处：
引用格式：
[1]王豪阳;卫颖;乔力-.极低温下Nb3Sn超导体单晶裂纹动态扩展模拟)[J].高压物理学报,2022(03):97-107
A类：
B类：
极低温,Nb3Sn,超导体,单晶,动态扩展,损伤断裂,断裂行为,临界性,力学机制,分子动力学模拟,中心裂纹,拉伸变形,断裂机制,裂纹扩展,应变率效应,结构受力,滑移,带上,上位,位错塞积,应力集中,子键,萌生,裂纹尖端,微裂纹,低应变率,脆性断裂,高应变率,韧性断裂
AB值：
0.298809
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
