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ZrOxNy薄膜的制备与低温电输运特性研究
文献摘要：
针对于测温应用中对低温温度计的性能需求,为了获得灵敏度高和测温区间宽的氮氧化锆(ZrOxNy)电阻温度传感薄膜,系统研究了溅射气氛中O2流量对ZrOxNy薄膜结构和低温电输运行为的影响.采用射频反应磁控溅射工艺,通过精细调整溅射沉积过程中的O2流量在Al2O3基片上生长了系列ZrOxNy薄膜,测定了薄膜的晶体结构、形貌和低温电输运特性.结果 表明,随着O2流量(0-0.24×1.6667×10-8 m3/s)的增大,ZrOxNy薄膜由单晶ZrN(002)相转变为ZrN和ZrO2两相,低温电输运行为由半导体-超导向半导体-绝缘特性演变,电阻率在103-108μΩ·cm的范围内变化.薄膜的灵敏度和电阻温度系数的绝对值(|S|、| TCR|)均与生长气氛O2流量呈正相关,在0.24×1.6667×10-8 m3/s的O2流量下达到了较高的|S|和|TCR|.生长气氛中O2流量对薄膜低温电输运行为的显著影响为优化ZrOxNy低温温度计的性能提供了新的思路.
文献关键词：
氮氧化锆薄膜;低温电输运;电阻温度系数
中图分类号：
作者姓名：
孙晓敏;柏欣博;陈赋聪;黄荣进;王维;袁洁;金魁;李来风
作者机构：
中国科学院理化技术研究所低温工程学重点实验室 北京 100190;中国科学院大学材料科学与光电技术学院 北京100049;中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家研究中心 北京100190;中国科学院大学物理科学学院 北京100049;松山湖材料实验室 东莞523808
文献出处：
引用格式：
[1]孙晓敏;柏欣博;陈赋聪;黄荣进;王维;袁洁;金魁;李来风-.ZrOxNy薄膜的制备与低温电输运特性研究)[J].低温工程,2022(01):31-35
A类：
ZrOxNy,低温电输运,氮氧化锆薄膜
B类：
电输运特性,测温,温温,温度计,性能需求,灵敏度高,温区,温度传感,薄膜结构,输运行为,反应磁控溅射,射工,溅射沉积,沉积过程,Al2O3,基片,上生,晶体结构,单晶,ZrN,相转变,ZrO2,超导,绝缘特性,特性演变,电阻率,电阻温度系数,TCR,下达
AB值：
0.264959
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