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关于热辐射反射环优化直拉单晶硅生长的模拟研究
文献摘要：
基于对CZ法单晶硅生长热物理过程的分析,本文针对其传热过程进行优化,创造性的提出可以提高直拉单晶生长速度的热辐射反射环.通过CGSim软件的长晶模拟研究,证明反射环结构具有较好的优化单晶棒传热的效果.本文中模拟研究的案例显示,将文中所提出的反射环结构应用在当前炉型结构中时,拉速提高的潜力在15％左右.
文献关键词：
CZ(Czochralski)法;单晶硅生长;热辐射;反射环;CGSim
中图分类号：
作者姓名：
王利伟
作者机构：
大连连城数控机器股份有限公司,辽宁 大连 116036
文献出处：
引用格式：
[1]王利伟-.关于热辐射反射环优化直拉单晶硅生长的模拟研究)[J].科学技术创新,2022(10):49-52
A类：
单晶生长速度,CGSim,炉型结构
B类：
热辐射,反射环,直拉,单晶硅生长,CZ,热物,物理过程,传热过程,明反,晶棒,结构应用,中时,拉速,Czochralski
AB值：
0.277208
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