典型文献
GeSe纳米电子器件整流特性的掺杂调控
文献摘要：
运用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法,研究了第V主族原子(P,As,Sb)替位掺杂条件下不同中心半导体沟道长度的GeSe纳米电子器件的整流特性.结果表明,第V族原子局部替位掺杂的扶手椅型GeSe纳米带在中心半导体沟道5.1 nm长度范围内,在正偏压下不同中心半导体沟道长度的扶手椅型GeSe纳米带电流随着电压的增大而增大;在负偏压下当中心半导体沟道长度从1.7 nm增加至3.4 nm时,电流不随电压的变化而变化,继续增大中心半导体沟道长度,电流大小接近于0,器件呈现显著的整流特性.
文献关键词：
GeSe纳米带;整流;替位掺杂;电流-电压特性
中图分类号：
作者姓名：
程杨名;廖文虎
作者机构：
吉首大学信息科学与工程学院,湖南吉首416000;吉首大学物理与机电工程学院,湖南吉首416000
文献出处：
引用格式：
[1]程杨名;廖文虎-.GeSe纳米电子器件整流特性的掺杂调控)[J].吉首大学学报（自然科学版）,2022(04):42-46,86
A类：
B类：
GeSe,电子器件,整流,掺杂调控,密度泛函理论,非平衡格林函数,主族,Sb,替位掺杂,沟道,道长,扶手椅,纳米带,带电,负偏压,电压特性
AB值：
0.256621
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