典型文献
锗掺杂改性纳米硅提升首次充放电效率
文献摘要：
纳米硅(Si)具有较高的充放电比容量,被认为是下一代锂离子电池最有前途的负极材料之一.然而,由于初始库仑效率低,严重限制了Si的实际应用.采用锗(Ge)对Si进行掺杂改性,并采用硼(B)和硫化锂(Li2S)作为对比研究,分别记为Si-Ge、Si-B和Si-Li2S.X射线衍射测试表明四种材料均在28°处有一个明显晶体硅的特征衍射峰.Si的首次放电比容量为2640.5 mAh/g,首次充电比容量为437.6 mAh/g,首次充放电效率为16.6％.添加锗改性材料Si-Ge的首次放电比容量为2415.2 mAh/g,首次充电比容量为1191.7 mAh/g,首次充放电效率为49.3％,在首次充放电效率方面有显著提升.经交流阻抗测试表明Si-Ge的电荷转移阻抗Rct为136.7Ω显著小于Si的465.4Ω,表明材料的导电性能提高.
文献关键词：
纳米硅;锗掺杂;首次充放电效率;电化学阻抗
中图分类号：
作者姓名：
高风仙;徐励娟;张匀;邢世浩;董朋阁;陈垒;赵金安
作者机构：
河南工程学院化工与印染工程学院,河南郑州450007
文献出处：
引用格式：
[1]高风仙;徐励娟;张匀;邢世浩;董朋阁;陈垒;赵金安-.锗掺杂改性纳米硅提升首次充放电效率)[J].电镀与精饰,2022(07):50-54
A类：
锗掺杂
B类：
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AB值：
0.230895
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