典型文献
碳化硅表面电镀厚镍工艺研究
文献摘要：
为了探索碳化硅深刻蚀过程中厚镍掩膜工艺条件,依据电镀原理,设计了以镀液pH、电流密度、镀液温度为影响因素的正交试验,通过对电镀速率和镀层均匀性双指标进行综合平衡法分析,研究各因素不同水平对实验结果的影响.采用台阶仪和激光共聚焦显微镜对电镀速率、镀层均匀性以及表面形貌进行表征.结果表明:电流密度是影响电镀速率的关键因素,镀液pH主要影响镀层的均匀性,最佳电镀条件为pH在3.0～3.5之间,电流密度为20 mA?cm-2,温度为55℃.该工艺成本低、镀速高且均匀性良好,可以用于制备碳化硅深刻蚀掩膜,为碳化硅基压力传感器的加工提供了关键工艺支持.
文献关键词：
碳化硅;电镀镍;正交试验
中图分类号：
作者姓名：
李强;雷程;梁庭;李永伟;周行健
作者机构：
中北大学动态测试技术国家重点实验室,山西太原030051;太原工业学院自动化系,山西太原030051
文献出处：
引用格式：
[1]李强;雷程;梁庭;李永伟;周行健-.碳化硅表面电镀厚镍工艺研究)[J].电镀与精饰,2022(02):51-55
A类：
B类：
碳化硅,刻蚀,掩膜,膜工艺,工艺条件,电流密度,镀层均匀性,双指标,综合平衡法,不同水平,激光共聚焦显微镜,表面形貌,mA,硅基,压力传感器,关键工艺,电镀镍
AB值：
0.268918
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
