典型文献
Hf4+离子掺杂BNT对电卡性能的影响
文献摘要：
该文采用传统固相合成法制备了 Bi0.5Na0.5Ti(1-x)HfxO3(x=0,0.02,0.04和0.06)陶瓷,通过X线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了其相结构、微观表面,并研究了其介电性能、铁电性能及比热容与相变的关系.通过构建电场和温度的条件,共同调控铁电相变.再借助麦克斯韦方程,通过间接法计算,最终在50℃、70 kV/cm的电场下,在Bi0.5Na0.5TiO3-0.04Hf陶瓷中通过诱导畴变得到了 0.5 K的负电卡效应.
文献关键词：
BNT基;电卡效应;无铅;钙钛矿;铁电陶瓷
中图分类号：
作者姓名：
石雯静;黄韵瑶;魏晓勇;靳立
作者机构：
西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室,国际电介质研究中心,电子科学与工程学院电信学部,陕西西安710049
文献出处：
引用格式：
[1]石雯静;黄韵瑶;魏晓勇;靳立-.Hf4+离子掺杂BNT对电卡性能的影响)[J].压电与声光,2022(04):588-592
A类：
Hf4+,HfxO3,04Hf,负电卡效应
B类：
离子掺杂,BNT,固相合成法,Bi0,5Na0,相结构,微观表面,介电性能,铁电性能,比热容,同调,麦克斯韦方程,间接法,kV,场下,5TiO3,无铅,钙钛矿,铁电陶瓷
AB值：
0.306725
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